基片表面朝向对ZnO纳米线生长机理的影响

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基片表面朝向对ZnO纳米线生长机理的影响

唐斌, 邓宏, 张强, 税正伟

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唐斌, 邓宏, 张强, 税正伟. 基片表面朝向对ZnO纳米线生长机理的影响[J]. 电子科技大学学报, 2009, 38(1): 134-136.

引用本文:

唐斌, 邓宏, 张强, 税正伟. 基片表面朝向对ZnO纳米线生长机理的影响[J]. 电子科技大学学报, 2009, 38(1): 134-136.

TANG Bin, DENG Hong, ZHANG Qiang, SHUI Zheng-wei. Effect of the Exposure of Substrate on the Growth Mechanism of ZnO Nanowires[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2009, 38(1): 134-136.

Citation:

TANG Bin, DENG Hong, ZHANG Qiang, SHUI Zheng-wei. Effect of the Exposure of Substrate on the Growth Mechanism of ZnO Nanowires[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2009, 38(1): 134-136.

基片表面朝向对ZnO纳米线生长机理的影响

1.
西南石油大学理学院成都 610500;
2.
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都 610054

基金项目:

国家自然科学基金(60390073)

作者简介:
唐斌(1976-)，男，硕士，副教授，主要从事ZnO纳米线的制备与光电性能方面的研究.

中图分类号: TN304

Effect of the Exposure of Substrate on the Growth Mechanism of ZnO Nanowires

1.
School of Science,Southwest Petroleum University Chengdu 610500;
2.
National Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrate Devices,University of Electronic Science and Technology of China Chengdu 610054

摘要: 采用热蒸发ZnO粉末法，以金膜为催化剂，在两片表面分别朝上和朝下的Si(100)基片上生长ZnO纳米线(样品分别标为1#和2#)。X射线衍射(XRD)图谱上只存在ZnO的(002)衍射峰，说明ZnO纳米线沿(001)择优取向。通过扫描电子显微镜(SEM)表征发现，ZnO纳米线整齐排列在Si基片上，直径在100nm左右，平均长度为4mm。通过分析得出，两种基片上生长的ZnO纳米线的生长机理是不相同的：1#样品，在基片表面上先生长ZnO薄膜，再在薄膜上生长ZnO纳米线；2#样品，ZnO纳米线直接外延生长在基片表面。结果显示基片表面的朝向影响ZnO纳米线的生长机理。
- 汽-液-固(V-L-S)机理 /
- 汽-固(V-S)机理 /
- ZnO纳米线 /
- ZnO薄膜
Abstract: ZnO nanowires were prepared on two piece of Si (100) substrates which faced up and down separately using Au as catalyzer by thermal evaporation and vapor transport. Only (002) diffraction peaks of ZnO can be found on the X-ray diffraction (XRD) patterns, this indicates that ZnO nanowires exhibit (001) preferred orientation. The scanning electronic microscope (SEM) images show that the average diameter is 100 nm and the average length is 4 μm. They are aligned on Si substrate well. While substrates facing up, the ZnO thin film of thickness of 500 nm is deposited on Si substrate firstly and ZnO nanowires grow on the ZnO thin films. And while substrates facing down, epitaxial ZnO nanowires grow on the substrates. The result indicates that the exposure of substrate affects the growth mechanism of ZnO nanowires.
- V-L-S mechanism /
- V-S mechanism /
- ZnO nanowires /
- ZnO thin films

[1]	肖海林, 左清念, 朱丹, 周梦. 基于D2D的C-V2V车载协作通信资源分配算法 . 电子科技大学学报, 2021, 50(5): 689-696. doi: 10.12178/1001-0548.2020357
[2]	朱国斌, 谢鑫, 张星, 赵洋, 熊虎. 支持直接撤销的固长密文策略属性基加密方案 . 电子科技大学学报, 2021, 50(1): 76-83. doi: 10.12178/1001-0548.2020341
[3]	何磊, 童玲, 陈彦, 李玉霞. 小麦S波段多层后向散射模型 . 电子科技大学学报, 2016, 45(5): 785-790. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2016.05.013
[4]	闫强, 吴联仁, 郑兰. 微博社区中用户行为特征及其机理研究 . 电子科技大学学报, 2013, 42(3): 328-333. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2013.03.002
[5]	丁世飞, 齐丙娟, 谭红艳. 支持向量机理论与算法研究综述 . 电子科技大学学报, 2011, 40(1): 2-10. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2011.01.001
[6]	王洪, 刘昌忠, 汪学刚, 吴宏刚. S模式前导脉冲检测方法 . 电子科技大学学报, 2010, 39(4): 486-489. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2010.04.002
[7]	刘孝保, 杜平安. B/S环境下CIMS安全模型设计与实现 . 电子科技大学学报, 2008, 37(1): 109-112.
[8]	曾昆, 唐友喜. V-BLAST信号的宽线性反馈判决检测 . 电子科技大学学报, 2008, 37(3): 361-363,392.
[9]	张德祥, 高清维, 钟维年, 陈军宁. 半连续Ag纳米薄膜显微图像的多重分形谱研究 . 电子科技大学学报, 2007, 36(5): 948-951.
[10]	董加和, 杨成韬, 郑泽渔, 李健雄, 张树人. 基于ZnO/金刚石/Si结构的瑞利波频散特性计算 . 电子科技大学学报, 2007, 36(5): 952-954,968.
[11]	田时开, 江天府, 杨兴华, 曾葆青. 碳纳米管薄膜的制备及处理对场发射特性的影响 . 电子科技大学学报, 2006, 35(6): 936-938.
[12]	葛启函, 邓宏, 陈航, 徐自强. 不同掺Al³⁺浓度的ZnO:Al薄膜性能研究 . 电子科技大学学报, 2006, 35(2): 253-256.
[13]	周英, 邓宏, 李燕, 程珍娟. 溶胶-凝胶法制备氧化锌薄膜 . 电子科技大学学报, 2006, 35(5): 823-825,828.
[14]	刘玉海, 唐小我, 倪得兵. 供应链牛鞭效应产生的经济机理研究 . 电子科技大学学报, 2005, 34(1): 137-140.
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[19]	张生才, 申云琴, 姚素英. 热打印头的失效机理与寿命分析 . 电子科技大学学报, 2001, 30(2): 181-184.
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基片表面朝向对ZnO纳米线生长机理的影响

1. 西南石油大学理学院成都 610500;

2. 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都 610054

基金项目:

国家自然科学基金(60390073)

作者简介:
唐斌(1976-)，男，硕士，副教授，主要从事ZnO纳米线的制备与光电性能方面的研究.

收稿日期: 2007-09-12
修回日期: 2008-02-28
刊出日期: 2009-02-15

中图分类号: TN304

关键词:

摘要: 采用热蒸发ZnO粉末法，以金膜为催化剂，在两片表面分别朝上和朝下的Si(100)基片上生长ZnO纳米线(样品分别标为1#和2#)。X射线衍射(XRD)图谱上只存在ZnO的(002)衍射峰，说明ZnO纳米线沿(001)择优取向。通过扫描电子显微镜(SEM)表征发现，ZnO纳米线整齐排列在Si基片上，直径在100nm左右，平均长度为4mm。通过分析得出，两种基片上生长的ZnO纳米线的生长机理是不相同的：1#样品，在基片表面上先生长ZnO薄膜，再在薄膜上生长ZnO纳米线；2#样品，ZnO纳米线直接外延生长在基片表面。结果显示基片表面的朝向影响ZnO纳米线的生长机理。

English Abstract

唐斌, 邓宏, 张强, 税正伟. 基片表面朝向对ZnO纳米线生长机理的影响[J]. 电子科技大学学报, 2009, 38(1): 134-136.

引用本文:

唐斌, 邓宏, 张强, 税正伟. 基片表面朝向对ZnO纳米线生长机理的影响[J]. 电子科技大学学报, 2009, 38(1): 134-136.

TANG Bin, DENG Hong, ZHANG Qiang, SHUI Zheng-wei. Effect of the Exposure of Substrate on the Growth Mechanism of ZnO Nanowires[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2009, 38(1): 134-136.

Citation:

TANG Bin, DENG Hong, ZHANG Qiang, SHUI Zheng-wei. Effect of the Exposure of Substrate on the Growth Mechanism of ZnO Nanowires[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2009, 38(1): 134-136.

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