高分子辅助沉积法制备氧化物和氮化物薄膜

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高分子辅助沉积法制备氧化物和氮化物薄膜

林媛, 杨丹丹, 代超, 刘升华, LUO H M, JIA Q X

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林媛, 杨丹丹, 代超, 刘升华, LUO H M, JIA Q X. 高分子辅助沉积法制备氧化物和氮化物薄膜[J]. 电子科技大学学报, 2009, 38(5): 524-530. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2009.05.005

引用本文:

林媛, 杨丹丹, 代超, 刘升华, LUO H M, JIA Q X. 高分子辅助沉积法制备氧化物和氮化物薄膜[J]. 电子科技大学学报, 2009, 38(5): 524-530. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2009.05.005

LIN Yuan, YANG Dan-dan, DAI Chao, LIU Sheng-hua, LUO H M, JIA Q X. Polymer Assisted Deposition of oxide and nitride films[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2009, 38(5): 524-530. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2009.05.005

Citation:

LIN Yuan, YANG Dan-dan, DAI Chao, LIU Sheng-hua, LUO H M, JIA Q X. Polymer Assisted Deposition of oxide and nitride films[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2009, 38(5): 524-530. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2009.05.005

高分子辅助沉积法制备氧化物和氮化物薄膜

doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2009.05.005

1.
电子科技大学微电子与固体电子学院电子薄膜和集成器件国家重点实验室成都 610054;
2.
LOS Alamos国家实验室新墨西哥美国 87545

作者简介:
林媛(1973-)，女，教授，博士生导师，“长江学者奖励计划”特聘教授，主要从事电子薄膜材料、微电子封装工艺和材料方面的研究

中图分类号: O56

Polymer Assisted Deposition of oxide and nitride films

1.
State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices,School of Microelectrics and Solid State Electronics,University of Electronic Science and Technology of China Chengdu 610054;
2.
LOS Alamos National Laboratory New Mexico USA 87545

摘要: 高分子辅助沉积法是近年来发展起来的一种薄膜沉积方法。该方法利用高分子与金属键合形成均匀稳定的溶液,将溶液涂覆在基片上后,通过热处理使高分子分解而形成薄膜。该文介绍了使用该方法制备的一些具有代表性的氧化物和氮化物薄膜,包括简单氧化物/氮化物,如TiO2、GaN和AlN等,复杂氧化物/氮化物如(Ba,Sr)TiO3、Ti1-xAlxN等。通过X射线衍射、透射电镜、介电测试和光学测试等方法对薄膜的结构和性能进行了表征和分析,并探讨了基片和工艺条件对结构和性能的影响。这些结果表明高分子辅助沉积法可以广泛应用于制备各种高质量的氧化物和氮化物薄膜。
- 氧化物薄膜 /
- 外延生长 /
- 高分子辅助沉积法 /
- 氮化物薄膜
Abstract: Polymer assisted deposition (PAD) is a new thin film deposition technique which has been developed recently. In this technique, aqueous solutions of metal precursors and water-soluble polymers are combined together. This results in homogenous and steady solutions by binding the metal ions to the polymers. After coating the solutions on the substrates, the precursor films will go through a heat treatment to pyrolyze the polymer and form solid films, In this paper, we show some representative oxide and nitride films grown by PAD, including simple oxide/nitride such as TiO32, GaN, AlN and complex oxide/nitride such as (Ba,Sr)TiO33 and Ti1?xAlxN. X-ray diffraction, transmission electron microscopy, dielectric measurement, and optics measurement are used to characterize structural and physical properties of the films. Effects of substrates and growth conditions on structural and physical properties are discussed. These results indicate that PAD can be used widely to prepare high quality oxide and nitride thin films.
- epitaxial growth /
- nitride thin films /
- oxide thin films /
- polymer assisted deposition

[1]	陶勇. 量子涨落与过掺杂铜氧化物超导薄膜中的反常两段标度 . 电子科技大学学报, 2022, 51(2): 314-320. doi: 10.12178/1001-0548.2021088
[2]	陈柳, 曾成, 褚青如, 张洁, 补世荣, 宁俊松. 利用金属环聚焦的HTS薄膜R_s分布测试法的研究 . 电子科技大学学报, 2017, 46(1): 156-160. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2017.01.021
[3]	王超, 张泽展, 陈磊, 王飞, 胡俊, 梁莹林, 姜晶, 杨萍, 马铁中. 氮化物外延生长在线监测技术 . 电子科技大学学报, 2016, 45(4): 650-658. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2016.04.017
[4]	王敏, 李文芳, 张果戈, 王晓军, 唐鹏. Ba_xSr_1-xTiO₃微弧氧化铁电薄膜微观结构及电学性能 . 电子科技大学学报, 2015, 44(5): 778-783. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2015.05.023
[5]	张永平, 张功萱, 朱昭萌. 物联网中压缩感知算法的云加速方法 . 电子科技大学学报, 2014, 43(3): 413-419. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2014.03.017
[6]	余毅, 梁晓琴, 黄平, 冯玉芳, 杨春. AlN/Al₂O₃(0001)薄膜生长与吸附的表面界面结构研究 . 电子科技大学学报, 2013, 42(5): 784-786. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2013.05.027
[7]	王浩, 吴博, 葛劲文, 王平. 物联网中基于受控对象的分布式访问控制 . 电子科技大学学报, 2012, 41(6): 893-898. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.06.015
[8]	文尚胜, 王保争, 牛晶华, 李爱源. 聚合物白光发光二极管的研究进展 . 电子科技大学学报, 2011, 40(2): 307-311. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2011.02.030
[9]	曾成, 罗正祥, 张其劭, 羊恺. 镜像法高温超导薄膜表面电阻测试装置的改进 . 电子科技大学学报, 2009, 38(2): 214-217. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2009.02.14
[10]	蒲娟, 吴志明, 蒋亚东, 熊昊, 张良昌. 氮化硅薄膜热性能测试研究 . 电子科技大学学报, 2009, 38(2): 313-316. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2009.02.37
[11]	应智花, 蒋亚东, 杜晓松, 谢光忠. 温度对聚合物QCM传感器性能的影响研究 . 电子科技大学学报, 2008, 37(6): 934-937.
[12]	于军胜, 李青, 娄双玲, 李璐, 黎威志, 蒋亚东. TPBTSi配合物的绿色有机发光器件研究 . 电子科技大学学报, 2008, 37(4): 618-620.
[13]	蒋亚东, 陈璇, 太惠玲, 谢光忠, 杜晓松. 掺杂剂对聚苯胺/二氧化钛复合薄膜氨敏特性的影响 . 电子科技大学学报, 2008, 37(5): 773-776.
[14]	王勉, 谢光忠, 太惠玲, 蒋亚东. PEDT导电聚合物气敏特性研究 . 电子科技大学学报, 2007, 36(4): 666-669.
[15]	赵强, 庞小峰, 刘乐维, 邓波, 胡文成. 纳米氧化铁及其水合物的生物学效应 . 电子科技大学学报, 2007, 36(4): 791-794.
[16]	周英, 邓宏, 李燕, 程珍娟. 溶胶-凝胶法制备氧化锌薄膜 . 电子科技大学学报, 2006, 35(5): 823-825,828.
[17]	徐建华, 杨邦朝, 蒋亚东, 谢光忠, 王涛. 受限空间内化学被覆导电聚合物薄膜研究 . 电子科技大学学报, 2005, 34(3): 396-398.
[18]	杨沛锋, 李开成, 刘道广. Si_1-xGe_x/Si材料外延生长技术 . 电子科技大学学报, 1999, 28(5): 490-493.
[19]	周鸿仁, 刘秀蓉, 徐蓓娜. 直流磁控溅射铂电阻薄膜 . 电子科技大学学报, 1997, 26(6): 662-665.
[20]	李燕, 罗佳慧. 真空蒸发碲化物薄膜光电性能的研究 . 电子科技大学学报, 1997, 26(4): 394-397.

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高分子辅助沉积法制备氧化物和氮化物薄膜

doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2009.05.005

1. 电子科技大学微电子与固体电子学院电子薄膜和集成器件国家重点实验室成都 610054;

2. LOS Alamos国家实验室新墨西哥美国 87545

作者简介:
林媛(1973-)，女，教授，博士生导师，“长江学者奖励计划”特聘教授，主要从事电子薄膜材料、微电子封装工艺和材料方面的研究

收稿日期: 2009-07-01
刊出日期: 2009-10-15

中图分类号: O56

关键词:

摘要: 高分子辅助沉积法是近年来发展起来的一种薄膜沉积方法。该方法利用高分子与金属键合形成均匀稳定的溶液,将溶液涂覆在基片上后,通过热处理使高分子分解而形成薄膜。该文介绍了使用该方法制备的一些具有代表性的氧化物和氮化物薄膜,包括简单氧化物/氮化物,如TiO2、GaN和AlN等,复杂氧化物/氮化物如(Ba,Sr)TiO3、Ti1-xAlxN等。通过X射线衍射、透射电镜、介电测试和光学测试等方法对薄膜的结构和性能进行了表征和分析,并探讨了基片和工艺条件对结构和性能的影响。这些结果表明高分子辅助沉积法可以广泛应用于制备各种高质量的氧化物和氮化物薄膜。

English Abstract

林媛, 杨丹丹, 代超, 刘升华, LUO H M, JIA Q X. 高分子辅助沉积法制备氧化物和氮化物薄膜[J]. 电子科技大学学报, 2009, 38(5): 524-530. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2009.05.005

引用本文:

林媛, 杨丹丹, 代超, 刘升华, LUO H M, JIA Q X. 高分子辅助沉积法制备氧化物和氮化物薄膜[J]. 电子科技大学学报, 2009, 38(5): 524-530. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2009.05.005

LIN Yuan, YANG Dan-dan, DAI Chao, LIU Sheng-hua, LUO H M, JIA Q X. Polymer Assisted Deposition of oxide and nitride films[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2009, 38(5): 524-530. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2009.05.005

Citation:

LIN Yuan, YANG Dan-dan, DAI Chao, LIU Sheng-hua, LUO H M, JIA Q X. Polymer Assisted Deposition of oxide and nitride films[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2009, 38(5): 524-530. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2009.05.005

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