气体压强对n型a-Si:H薄膜光学性能的影响

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气体压强对n型a-Si:H薄膜光学性能的影响

李伟, 陈宇翔, 金鑫, 姜宇鹏, 杨光, 蒋亚东

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李伟, 陈宇翔, 金鑫, 姜宇鹏, 杨光, 蒋亚东. 气体压强对n型a-Si:H薄膜光学性能的影响[J]. 电子科技大学学报, 2009, 38(5): 730-733. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2009.05.037

引用本文:

李伟, 陈宇翔, 金鑫, 姜宇鹏, 杨光, 蒋亚东. 气体压强对n型a-Si:H薄膜光学性能的影响[J]. 电子科技大学学报, 2009, 38(5): 730-733. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2009.05.037

LI Wei, CHEN Yu-xiang, JIN Xin, JIANG Yu-peng, YANG Guang, JIANG Ya-dong. Effect of Gas Pressure on the Optical Properties of n-Type a-Si: H Thin Films Deposited by PECVD[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2009, 38(5): 730-733. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2009.05.037

Citation:

LI Wei, CHEN Yu-xiang, JIN Xin, JIANG Yu-peng, YANG Guang, JIANG Ya-dong. Effect of Gas Pressure on the Optical Properties of n-Type a-Si: H Thin Films Deposited by PECVD[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2009, 38(5): 730-733. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2009.05.037

气体压强对n型a-Si:H薄膜光学性能的影响

doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2009.05.037

1.
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都 610054;
2.
电子科技大学光电信息学院成都 610054

基金项目:

部级基金(DZ0241)

作者简介:
李伟(1961-)，男，博士，教授，博士生导师，主要从事光电薄膜与器件、敏感薄膜与传感器方面的研究

中图分类号: O484.1

Effect of Gas Pressure on the Optical Properties of n-Type a-Si: H Thin Films Deposited by PECVD

1.
State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices,University of Electronic Science and Technology of China Chengdu 610054;
2.
School of Optoelectronic Information,University of Electronic Science and Technology of China Chengdu 610054

摘要: 用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)制备磷掺杂氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜,研究了辉光放电气体压强(20~80 Pa)对薄膜折射率、消光系数、光学带隙以及氢含量的影响;用激光拉曼光谱研究了气体压强对a-Si:H薄膜微结构的影响,并与薄膜的光学性能进行了综合讨论。结果表明,随着辉光放电气体压强的增加,a-Si:H薄膜的光学带隙和氢含量都有不同程度的增大,但折射率和消光系数却逐步减小;与此同时,薄膜内非晶网络的短程和中程有序程度逐渐恶化。
- 傅里叶变换红外光谱 /
- 气体压强 /
- 氢化非晶硅 /
- 光学性能 /
- 拉曼光谱
Abstract: Phosphor doped (n-type) hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) thin films were deposited by radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition (RF-PECVD). The refractive index, extinction coefficient, optical bandgap and hydrogen content of the testing films were investigated by means of ellipsometry and Fourier transform infrared spectra (FTIR) with gas pressure varied from 20 Pa to 80 Pa. The microstructural changes of a-Si:H thin films caused by different gas pressure were studied and discussed using Raman spectra along with optical property measurement. The results show that the optical bandgap and the hydrogen content of a-Si:H thin films increase with the rise of gas pressure in PECVD system, while the refractive index and the extinction coefficient decrease gradually. In the mean time, the ordering of amorphous network of the testing thin films on the short and intermediate scales is getting worse as the gas pressure goes up.
- Fourier transform infrared spectra /
- gas pressure /
- hydrogenated amorphous silicon /
- optical properties /
- Raman spectra

[1]	冯小兵, 曾宇怀, 吴泽鹏, 杭文, 魏书精, 汤龙坤, 胡海波. 基于卫星多光谱的广东亚热带森林FMC遥感反演 . 电子科技大学学报, 2022, 51(3): 432-437. doi: 10.12178/1001-0548.2021361
[2]	钱吉裕, 魏涛, 王韬, 李秋燕, 吴传贵. 高性能硅基微流道优化方法研究 . 电子科技大学学报, 2020, 49(1): 92-97. doi: 10.12178/1001-0548.2018250
[3]	侯卫民, 赵拓, 苏佳, 高丽慧, 张易凡. 基于协同表示的高光谱和多光谱图像融合算法 . 电子科技大学学报, 2020, 49(4): 569-574. doi: 10.12178/1001-0548.2019145
[4]	韩嫚莉, 侯卫民, 孙靖国, 王明, 梅少辉. 基于PCA与协同表示的高光谱图像分类研究 . 电子科技大学学报, 2019, 48(1): 117-121. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2019.01.019
[5]	王柯俨, 宋娟, 李云松, 郭杰. 基于配准和二次码率控制的光谱图像压缩 . 电子科技大学学报, 2017, 46(1): 9-14. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2017.01.002
[6]	戴晓爱, 郭守恒, 任淯, 杨晓霞, 刘汉湖. 基于堆栈式稀疏自编码器的高光谱影像分类 . 电子科技大学学报, 2016, 45(3): 382-386. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2016.02.012
[7]	张鹏, 秦开宇, 蒋大钢, 邓科, 黄建, 幺周石. 光学前端平衡失配下的卫星相干接收性能 . 电子科技大学学报, 2016, 45(2): 306-311.
[8]	王亚非, 刘丽娴, 高椿明, 卢泽宇, 周鹰. 石英增强光声光谱技术发展现状 . 电子科技大学学报, 2015, 44(6): 940-945. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2015.06.025
[9]	王蕊, 李恒超, 尹忠科. 考虑端元差异性的协同稀疏高光谱解混算法 . 电子科技大学学报, 2014, 43(6): 813-816,828. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2014.06.003
[10]	饶云江, 苌亮, 贾新鸿, 张超. 基于拉曼放大和半导体光放大的BOTDA . 电子科技大学学报, 2012, 41(4): 621-625. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.04.028
[11]	曹丙花, 张光新, 周泽魁. 太赫兹时域光谱技术在纺织纤维鉴别中的应用 . 电子科技大学学报, 2010, 39(1): 55-57,79. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2010.01.013
[12]	辛勤, 粘永健, 万建伟, 何密. 基于FastICA的高光谱图像压缩技术 . 电子科技大学学报, 2010, 39(5): 711-715,730. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2010.05.014
[13]	李金海, 巴晓辉, 陈杰. 三阶卡尔曼滤波数字锁频环设计及性能分析 . 电子科技大学学报, 2008, 37(5): 677-680,729.
[14]	黄廷祝, 黄秀琴, 蒋泽云. MRF和GM模型高光谱图像地物标记 . 电子科技大学学报, 2008, 37(5): 742-745,781.
[15]	钟智勇, 刘爽, 唐晓莉, 石玉, 张怀武. 巨磁电阻效应的非接触光学表征方法研究 . 电子科技大学学报, 2007, 36(4): 657-659.
[16]	张世富. 用傅里叶变换分析圆孔夫琅和费衍射 . 电子科技大学学报, 2006, 35(6): 939-941.
[17]	于长丰, 严一民, 阎坤, 杨新铁. 反氢原子能级及光谱的经典定性研究 . 电子科技大学学报, 2004, 33(4): 461-463,484.
[18]	韩振海, 刘秋武, 刘艺, 王仕璠. 基于联合变换的旋转不变光学图像加密 . 电子科技大学学报, 2004, 33(1): 43-45.
[19]	崔炳华, 邱琪, 薛飞, 王岩柏. 多波长后向泵浦拉曼放大器优化算法研究 . 电子科技大学学报, 2003, 32(3): 296-299.
[20]	何进, 王新, 陈星弼. 硅-硅直接键合界面上SiO₂的非稳定性 . 电子科技大学学报, 1999, 28(5): 494-497.

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气体压强对n型a-Si:H薄膜光学性能的影响

doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2009.05.037

1. 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都 610054;

2. 电子科技大学光电信息学院成都 610054

基金项目:

部级基金(DZ0241)

作者简介:
李伟(1961-)，男，博士，教授，博士生导师，主要从事光电薄膜与器件、敏感薄膜与传感器方面的研究

收稿日期: 2009-04-20
刊出日期: 2009-10-15

中图分类号: O484.1

关键词:

摘要: 用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)制备磷掺杂氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜,研究了辉光放电气体压强(20~80 Pa)对薄膜折射率、消光系数、光学带隙以及氢含量的影响;用激光拉曼光谱研究了气体压强对a-Si:H薄膜微结构的影响,并与薄膜的光学性能进行了综合讨论。结果表明,随着辉光放电气体压强的增加,a-Si:H薄膜的光学带隙和氢含量都有不同程度的增大,但折射率和消光系数却逐步减小;与此同时,薄膜内非晶网络的短程和中程有序程度逐渐恶化。

English Abstract

李伟, 陈宇翔, 金鑫, 姜宇鹏, 杨光, 蒋亚东. 气体压强对n型a-Si:H薄膜光学性能的影响[J]. 电子科技大学学报, 2009, 38(5): 730-733. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2009.05.037

引用本文:

李伟, 陈宇翔, 金鑫, 姜宇鹏, 杨光, 蒋亚东. 气体压强对n型a-Si:H薄膜光学性能的影响[J]. 电子科技大学学报, 2009, 38(5): 730-733. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2009.05.037

LI Wei, CHEN Yu-xiang, JIN Xin, JIANG Yu-peng, YANG Guang, JIANG Ya-dong. Effect of Gas Pressure on the Optical Properties of n-Type a-Si: H Thin Films Deposited by PECVD[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2009, 38(5): 730-733. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2009.05.037

Citation:

LI Wei, CHEN Yu-xiang, JIN Xin, JIANG Yu-peng, YANG Guang, JIANG Ya-dong. Effect of Gas Pressure on the Optical Properties of n-Type a-Si: H Thin Films Deposited by PECVD[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2009, 38(5): 730-733. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2009.05.037

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