SiC MESFET非线性模型及其嵌入研究

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

SiC MESFET非线性模型及其嵌入研究

徐跃杭, 国云川, 徐锐敏, 延波, 吴韵秋

文章导航 > 电子科技大学学报 > 2010 > 39(3): 443-446,453

徐跃杭, 国云川, 徐锐敏, 延波, 吴韵秋. SiC MESFET非线性模型及其嵌入研究[J]. 电子科技大学学报, 2010, 39(3): 443-446,453. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2010.03.026

引用本文:

徐跃杭, 国云川, 徐锐敏, 延波, 吴韵秋. SiC MESFET非线性模型及其嵌入研究[J]. 电子科技大学学报, 2010, 39(3): 443-446,453. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2010.03.026

XU Yue-hang, GUO Yun-chuan, XU Rui-min, YAN Bo, WU Yun-qiu. Modeling and Embedding of SiC MESFET Nonlinear Model[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2010, 39(3): 443-446,453. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2010.03.026

Citation:

XU Yue-hang, GUO Yun-chuan, XU Rui-min, YAN Bo, WU Yun-qiu. Modeling and Embedding of SiC MESFET Nonlinear Model[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2010, 39(3): 443-446,453. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2010.03.026

SiC MESFET非线性模型及其嵌入研究

doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2010.03.026

1.
电子科技大学电子工程学院成都 610054

基金项目:

国家自然科学基金(60701017，60876052)

作者简介:
徐跃杭(1981-)，男，博士生，主要从事新型半导体器件及其建模方面的研究.

中图分类号: TN304.2

Modeling and Embedding of SiC MESFET Nonlinear Model

1.
School of Electronic Engineering,University of Electronic Science and Technology of China Chengdu 610054

摘要: 基于TOM直流I-V模型和Angelov非线性电容模型，该文建立了适合SiCMESFET的非线性模型，并利用符号定义器件(SDD)实现了在安捷伦ADS软件中嵌入，最终建立了SiCMESFET工艺的模型库。该非线性模型考虑了击穿特性、色散效应和自热效应等，可进行直流、散射S参数和谐波平衡等ADS软件中的仿真器。该模型在国内SiCMESFET工艺线上的验证结果表明模型具有较好的精度。
- 金属半导体场效应晶体管 /
- 非线性模型 /
- 碳化硅 /
- 符号定义器件
Abstract: The SiC MESFETs nonlinear characteristic is modeled by modified Triquint's own model (TOM) DC I-V model and Angelov nonlinear capacitor models. The nonlinear model has been implemented in Agilent advanced design system (ADS) by using symbolic defined devices (SDD), and an integral SiC MESFET process line design kit has been embedding in ADS. Its validity is verified by measured DC I-V curves, multi-bias S parameters and harmonic balance simulation based on native SiC MESFET process line, and good accuracy has been achieved.
- MESFET /
- nonlinear model /
- SiC /
- symbolic defined devices

[1]	文译, 陈致宇, 邓小川, 柏松, 李轩, 张波. 10 kV SiC LBD-MOSFET结构设计与特性研究 . 电子科技大学学报, 2021, 50(4): 520-526. doi: 10.12178/1001-0548.2021084
[2]	杜平安, 陈建伟, 王珏, 凌明祥. 气体轴承-转子耦合作用下离心机回转误差计算 . 电子科技大学学报, 2017, 46(2): 469-474. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2017.02.023
[3]	张林, 肖剑, 邱彦章, 程鸿亮. Ni/4H-SiC SBD电离辐照探测器的实验研究 . 电子科技大学学报, 2012, 41(3): 467-470. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.03.028
[4]	周郁明, 靳爱津, 冯德仁. 钒补偿度对SiC光导开关特性影响的研究 . 电子科技大学学报, 2012, 41(6): 937-940. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.06.023
[5]	张海瑛, 袁超伟. 采用非线性变换的MPSK/MQAM符号速率盲估计 . 电子科技大学学报, 2010, 39(6): 820-825. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2010.06.004
[6]	张波, 邓小川, 陈万军, 李肇基. 宽禁带功率半导体器件技术 . 电子科技大学学报, 2009, 38(5): 618-623. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2009.05.018
[7]	黄际彦, 万群, 杨万麟. 稳健非线性LMS非视距定位算法 . 电子科技大学学报, 2008, 37(3): 328-330.
[8]	殷时蓉, 陈光, 谢永乐. 应用Elman网络优化非线性模拟电路测试激励 . 电子科技大学学报, 2008, 37(4): 574-577.
[9]	周玉荣, 郝小江, 张安英, 庞小峰. 非线性积分点火模型的相干共振 . 电子科技大学学报, 2008, 37(5): 724-726,776.
[10]	孙艳争, 黄炜, 余波. 基于EMD的非线性信号自适应分析 . 电子科技大学学报, 2007, 36(1): 24-26.
[11]	李月卉, 安晓强. 一种抑制OCDMA系统色散和非线性效应的方法 . 电子科技大学学报, 2007, 36(5): 900-902,914.
[12]	王连圭, 田太心. 非线性控制系统的全局可镇定 . 电子科技大学学报, 2006, 35(1): 58-61.
[13]	卢凉, 杜平安, 秦东兴, 阎威. MEMS器件缩减模型建模方法研究 . 电子科技大学学报, 2006, 35(5): 841-843.
[14]	干泰彬, 黄廷祝, 王晓梅, 张利琼, 高中喜. 非线性对角占优性 . 电子科技大学学报, 2005, 34(2): 273-276.
[15]	李斌, 杨中海, 朱小芳, 廖莉, 肖礼, 曾葆青. 改进的行波管三维非线性理论 . 电子科技大学学报, 2005, 34(5): 630-633.
[16]	刘知贵, 蒲洁, 黄正良. 非线性大工业过程稳态模型的强一致性分析 . 电子科技大学学报, 2004, 33(3): 273-277.
[17]	翟东海, 李力, 靳蕃. 模糊神经网络用于非线性系统模型辨识 . 电子科技大学学报, 2004, 33(5): 577-581.
[18]	谢华. 一种电力系统非线性模型的混沌特性研究 . 电子科技大学学报, 2001, 30(3): 263-266.
[19]	李克克, 李绍才. 最优非线性定价 . 电子科技大学学报, 1999, 28(6): 629-631.
[20]	陈玲, 侯露莹. 微波晶体管噪声参数CAT . 电子科技大学学报, 1997, 26(4): 382-386.

WeChat

点击查看大图

计量

文章访问数: 4463
HTML全文浏览量: 119
PDF下载量: 51
被引次数: 0

SiC MESFET非线性模型及其嵌入研究

doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2010.03.026

1. 电子科技大学电子工程学院成都 610054

基金项目:

国家自然科学基金(60701017，60876052)

作者简介:
徐跃杭(1981-)，男，博士生，主要从事新型半导体器件及其建模方面的研究.

收稿日期: 2008-11-20
修回日期: 2009-05-04
刊出日期: 2010-06-15

中图分类号: TN304.2

关键词:

摘要: 基于TOM直流I-V模型和Angelov非线性电容模型，该文建立了适合SiCMESFET的非线性模型，并利用符号定义器件(SDD)实现了在安捷伦ADS软件中嵌入，最终建立了SiCMESFET工艺的模型库。该非线性模型考虑了击穿特性、色散效应和自热效应等，可进行直流、散射S参数和谐波平衡等ADS软件中的仿真器。该模型在国内SiCMESFET工艺线上的验证结果表明模型具有较好的精度。

English Abstract

徐跃杭, 国云川, 徐锐敏, 延波, 吴韵秋. SiC MESFET非线性模型及其嵌入研究[J]. 电子科技大学学报, 2010, 39(3): 443-446,453. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2010.03.026

引用本文:

徐跃杭, 国云川, 徐锐敏, 延波, 吴韵秋. SiC MESFET非线性模型及其嵌入研究[J]. 电子科技大学学报, 2010, 39(3): 443-446,453. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2010.03.026

XU Yue-hang, GUO Yun-chuan, XU Rui-min, YAN Bo, WU Yun-qiu. Modeling and Embedding of SiC MESFET Nonlinear Model[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2010, 39(3): 443-446,453. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2010.03.026

Citation:

XU Yue-hang, GUO Yun-chuan, XU Rui-min, YAN Bo, WU Yun-qiu. Modeling and Embedding of SiC MESFET Nonlinear Model[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2010, 39(3): 443-446,453. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2010.03.026

全文HTML

/

下载: 全尺寸图片幻灯片

分享

用微信扫码二维码

分享至好友和朋友圈

返回

期刊在线

编辑办公

友情链接

电子科技大学

版权所有 © 《电子科技大学学报》编辑部

地址: 成都市建设北路二段四号电子科技大学主楼中350室电话: 028-83202308,83207559 Email: xuebao@uestc.edu.cn

本系统由北京仁和汇智信息技术有限公司开发