脉冲控制忆阻模拟存储器

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

脉冲控制忆阻模拟存储器

胡小方, 段书凯, 王丽丹, 李传东

文章导航 > 电子科技大学学报 > 2011 > 40(5): 642-647

胡小方, 段书凯, 王丽丹, 李传东. 脉冲控制忆阻模拟存储器[J]. 电子科技大学学报, 2011, 40(5): 642-647. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2011.05.001

引用本文:

胡小方, 段书凯, 王丽丹, 李传东. 脉冲控制忆阻模拟存储器[J]. 电子科技大学学报, 2011, 40(5): 642-647. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2011.05.001

HU Xiao-fang, DUAN Shu-kai, WANG Li-dan, LI Chuan-dong. Analog Memory Based on Pulse Controlled Memristor[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2011, 40(5): 642-647. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2011.05.001

Citation:

HU Xiao-fang, DUAN Shu-kai, WANG Li-dan, LI Chuan-dong. Analog Memory Based on Pulse Controlled Memristor[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2011, 40(5): 642-647. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2011.05.001

脉冲控制忆阻模拟存储器

doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2011.05.001

1.
西南大学电子信息工程学院重庆北碚区 400715;
2.
重庆大学计算机学院重庆沙坪坝区 400033

基金项目:

国家自然科学基金(60972155, 61101233, 60974020);重庆市自然科学基金(CSTC2009BB2305);中央高校基本科研业务费专项(XDJK2010C023, XDJK2010B005);中国博士后科学基金(CPSF20100470116);重庆市高等教育教学改革研究重点项目(09-2-011)

作者简介:
胡小方(1984-)，女，硕士生，主要从事智能信息处理、人工神经网络、混沌、忆阻器及忆阻系统理论及应用等方面的研究

中图分类号: TM5

Analog Memory Based on Pulse Controlled Memristor

1.
School of Electronics & Information Engineering,Southwest University Beibei Chongqing 400715;
2.
College of Computer Science,Chongqing University Shapingba Chongqing 400044

摘要: 推导了忆阻器的电荷控制和磁通量控制数学模型，在该基础上研究了其电导状态连续可变的性质和记忆功能。提出了用脉冲控制忆阻器实现模拟信息存储的方案，通过理论分析、实验仿真验证了方案的有效性。结合交叉阵列结构，该方案有望实现大规模模拟存储阵列，推进人工神经网络和模拟式计算机的发展。
- 模拟存储器 /
- 交叉阵列 /
- 电荷控制模型 /
- 磁通量控制模型 /
- 忆阻器
Abstract: In this paper, the charge-controlled and flux-controlled memristor mathematical models are derived detailedly. The continuously variable conductance and memory properties of memristors are researched. An implementation scheme for analog memory using pulse controlled memristors is proposed, and its effectiveness is verified through theoretical analysis and simulation experiments. With crossbar array structure, the scheme is expected to achieve large-scale analog storage arrays, which may greatly promote the development of artificial neural networks and analog computers.
- analog memory /
- crossbar array /
- charge-controlled memristor model /
- flux-controlled memristor model /
- memristor

[1]	刘益安, 马瑞辰, 李国, 于奇, 刘洋, 胡绍刚. 负阻态忆阻Hopfield神经网络动力学 . 电子科技大学学报, 2023, 52(1): 38-43. doi: 10.12178/1001-0548.2022294
[2]	舒一洋, 唐得山, 饶云博, 罗讯. 小型化混合电磁交叉耦合带通滤波器设计 . 电子科技大学学报, 2022, 51(2): 207-212. doi: 10.12178/1001-0548.2021266
[3]	于永斌, 李镖, 唐倩. 一种新型三阶磁控忆阻器模型及其滤波器研究 . 电子科技大学学报, 2021, 50(3): 339-346. doi: 10.12178/1001-0548.2020384
[4]	杨燕, 王滨, 李翠, 何雨莲. 高可靠性OTP存储控制器 . 电子科技大学学报, 2019, 48(5): 722-727. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2019.05.010
[5]	张永亮, 苏涛, 吴边, 周润景. 含有频变耦合系数的交叉耦合滤波器优化设计 . 电子科技大学学报, 2018, 47(4): 516-520. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2018.04.007
[6]	张天良, 周立国, 羊恺, 陈鹏, 任向阳, 侯方焰, 杨常林. 无耦合交叉线高温超导准椭圆函数滤波器 . 电子科技大学学报, 2016, 45(1): 26-29. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2016.01.003
[7]	贾美美, 张国山. 电压控制型Buck变换器的混沌控制 . 电子科技大学学报, 2016, 45(2): 208-214.
[8]	杨凌, 苏婧, 黄麟, 蒲中柱. 一种磁控忆感模拟器的设计及其特性分析 . 电子科技大学学报, 2016, 45(5): 744-749. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2016.05.006
[9]	方炜, 刘晓东, 刘宿城, 刘雁飞. 基于分段仿射模型的DC/DC变换器预测控制研究 . 电子科技大学学报, 2015, 44(3): 381-386. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2015.03.011
[10]	孙跃, 吴静, 王智慧, 唐春森. ICPT系统基于电容阵列的稳频控制策略 . 电子科技大学学报, 2014, 43(1): 54-59. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2014.01.009
[11]	方炜, 邱亚杰, 刘晓东, 刘雁飞. 基于电容电荷平衡的Boost型变换器控制研究 . 电子科技大学学报, 2013, 42(2): 244-248. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2013.02.013
[12]	王丽丹, 段美涛, 段书凯. 基于STDP规则的忆阻神经网络在图像存储中的应用 . 电子科技大学学报, 2013, 42(5): 642-647. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2013.05.001
[13]	陈昌华, 尹健康, 李敬敏, 姚进. 具有嵌套性和自相关性的制造过程质量控制方法 . 电子科技大学学报, 2012, 41(6): 954-959. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.06.027
[14]	戴欣, 周继昆, 孙跃. 基于谐振电容阵列的CPT系统输出控制方法 . 电子科技大学学报, 2012, 41(5): 729-734. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.05.017
[15]	富聪, 宋志棠, 陈后鹏, 蔡道林, 王倩, 宏潇. 用于相变存储器的超低输出纹波电荷泵 . 电子科技大学学报, 2012, 41(2): 317-320. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.02.027
[16]	蒋运承, 谭红艳. 面向语义Web的Expressive格值描述逻辑 . 电子科技大学学报, 2012, 41(3): 322-335. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.03.001
[17]	何朋飞, 王丽丹, 段书凯, 李传东. 忆容器的Simulink模型及其主要特性分析 . 电子科技大学学报, 2011, 40(5): 648-651. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2011.05.002
[18]	胡皓全, 曹纪纲. 新型微带交叉耦合环微波带通滤波器 . 电子科技大学学报, 2008, 37(6): 875-878.
[19]	李忻, 聂在平. 交叉耦合模型及其在腔体滤波器中的实现 . 电子科技大学学报, 2004, 33(4): 364-367.
[20]	顾骧, 周东, 田忠. 用于1553总线控制器的存储管理单元设计 . 电子科技大学学报, 2003, 32(3): 317-320,327.

WeChat

点击查看大图

计量

文章访问数: 4395
HTML全文浏览量: 110
PDF下载量: 67
被引次数: 0

脉冲控制忆阻模拟存储器

doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2011.05.001

1. 西南大学电子信息工程学院重庆北碚区 400715;

2. 重庆大学计算机学院重庆沙坪坝区 400033

基金项目:

国家自然科学基金(60972155, 61101233, 60974020);重庆市自然科学基金(CSTC2009BB2305);中央高校基本科研业务费专项(XDJK2010C023, XDJK2010B005);中国博士后科学基金(CPSF20100470116);重庆市高等教育教学改革研究重点项目(09-2-011)

作者简介:
胡小方(1984-)，女，硕士生，主要从事智能信息处理、人工神经网络、混沌、忆阻器及忆阻系统理论及应用等方面的研究

收稿日期: 2011-08-15
修回日期: 2011-09-15
刊出日期: 2011-10-15

中图分类号: TM5

关键词:

摘要: 推导了忆阻器的电荷控制和磁通量控制数学模型，在该基础上研究了其电导状态连续可变的性质和记忆功能。提出了用脉冲控制忆阻器实现模拟信息存储的方案，通过理论分析、实验仿真验证了方案的有效性。结合交叉阵列结构，该方案有望实现大规模模拟存储阵列，推进人工神经网络和模拟式计算机的发展。

English Abstract

胡小方, 段书凯, 王丽丹, 李传东. 脉冲控制忆阻模拟存储器[J]. 电子科技大学学报, 2011, 40(5): 642-647. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2011.05.001

引用本文:

胡小方, 段书凯, 王丽丹, 李传东. 脉冲控制忆阻模拟存储器[J]. 电子科技大学学报, 2011, 40(5): 642-647. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2011.05.001

HU Xiao-fang, DUAN Shu-kai, WANG Li-dan, LI Chuan-dong. Analog Memory Based on Pulse Controlled Memristor[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2011, 40(5): 642-647. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2011.05.001

Citation:

HU Xiao-fang, DUAN Shu-kai, WANG Li-dan, LI Chuan-dong. Analog Memory Based on Pulse Controlled Memristor[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2011, 40(5): 642-647. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2011.05.001

全文HTML

/

下载: 全尺寸图片幻灯片

分享

用微信扫码二维码

分享至好友和朋友圈

返回

期刊在线

编辑办公

友情链接

电子科技大学

版权所有 © 《电子科技大学学报》编辑部

地址: 成都市建设北路二段四号电子科技大学主楼中350室电话: 028-83202308,83207559 Email: xuebao@uestc.edu.cn

本系统由北京仁和汇智信息技术有限公司开发