钒补偿度对SiC光导开关特性影响的研究

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

钒补偿度对SiC光导开关特性影响的研究

周郁明, 靳爱津, 冯德仁

文章导航 > 电子科技大学学报 > 2012 > 41(6): 937-940

周郁明, 靳爱津, 冯德仁. 钒补偿度对SiC光导开关特性影响的研究[J]. 电子科技大学学报, 2012, 41(6): 937-940. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.06.023

引用本文:

周郁明, 靳爱津, 冯德仁. 钒补偿度对SiC光导开关特性影响的研究[J]. 电子科技大学学报, 2012, 41(6): 937-940. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.06.023

ZHOU Yu-ming, JIN Ai-jin, FEND De-ren. Simulation of Vanadium Doped Concentration on the Effect of Characteristics of SiC Photoconducting Switches[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2012, 41(6): 937-940. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.06.023

Citation:

ZHOU Yu-ming, JIN Ai-jin, FEND De-ren. Simulation of Vanadium Doped Concentration on the Effect of Characteristics of SiC Photoconducting Switches[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2012, 41(6): 937-940. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.06.023

钒补偿度对SiC光导开关特性影响的研究

doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.06.023

1.
安徽工业大学电气信息学院安徽马鞍山 243002

基金项目:

国家自然科学基金(51177003)

作者简介:
周郁明(1971-),男,博士,副教授,主要从事高功率半导体开关及其应用技术方面的研究.

中图分类号: TN36;TM89

Simulation of Vanadium Doped Concentration on the Effect of Characteristics of SiC Photoconducting Switches

1.
School of Electrical Engineering,Anhui University of Technology Maanshan Anhui 243002

摘要: 利用半导体器件仿真软件研究了钒掺杂半绝缘碳化硅(SiC)光导开关(PCSS)在电容放电电路中的瞬态特性。在非故意掺杂氮浓度为1×1014 cm-3、硼浓度为1×1011 cm-3和电容初始电压为1000 V的条件下,当钒浓度为1×1012 cm-3时,电路在初始阶段有一个完整的振荡脉冲电流,随后存在较大的泄露电流,当光导开关受到波长为532 nm、功率为2400 W/cm2激光的激发时,电容放电形成幅值约为88 A的陡峭脉冲电流,激光结束后电路还有较大的拖尾电流。随着钒浓度增加到1×1014 cm-3,初始阶段的振荡电流消失,漏电流和拖尾电流均减小,受到激光激发时所形成的脉冲电流幅值约为8 A,而钒浓度增加到1×1017 cm-3时,幅值减小到2.5 A。
- 能级 /
- 漏电流 /
- 光导开关 /
- 碳化硅
Abstract: SiC photoconducting switches (PCSS) have lots of advantages over conventional switches. By means of device simulator, a two dimension (2D) model of SiC PCSS was set up, and the effect of Vanadium doped concentration on the characteristics of SiC PCSS was explored in a capacitor discharging circuit. In the model, the concentrations of unintentional impurities nitrogen and boron were set to 1×1014 and 1×1011 cm-3 respectively, the wavelength and power of laser were set to 532 nm and 2400 W/cm2, and the initial voltage of the circuit was 1 000 V. When the vanadium doped concentration was 1×1012 cm-3, the circuit generated an unbroken current wave in the initial stage followed by a high leakage current. As soon as the switch was triggered by laser, a peak current of 88 A was formed. After laser triggering, a higher tail current was observed in the circuit. As the vanadium doped concentration was increased to 1×1014 cm-3, the leakage current and tail current both decreased, and the peak current was 8 A. Furthermore, when the vanadium doped concentration was 1×1017cm-3, the peak current reduced to 2.5 A.
- energy levels /
- leakage current /
- photoconducting switches /
- Silicon carbide

[1]	文译, 陈致宇, 邓小川, 柏松, 李轩, 张波. 10 kV SiC LBD-MOSFET结构设计与特性研究 . 电子科技大学学报, 2021, 50(4): 520-526. doi: 10.12178/1001-0548.2021084
[2]	鲁改凤, 杜帅, 侯鹏飞, 张朋飞. 单相光伏逆变器自适应谐波消除电流控制策略 . 电子科技大学学报, 2018, 47(5): 705-713. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2018.05.011
[3]	毕闯, 张千, 向勇, 卢华. 峰值电流控制同步开关变换器的分岔控制研究 . 电子科技大学学报, 2015, 44(1): 67-71. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2015.01.011
[4]	杜辉, 李洋, 梁伟正, 高敏, 张胤, 林媛. 化学计量比对BaTiO₃/Ni集成结构性能的影响 . 电子科技大学学报, 2015, 44(5): 784-788. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2015.05.024
[5]	邵英, 袁立军, 庄飚. 基于对称双光路检测法的MOCT电流互感器模型研究 . 电子科技大学学报, 2014, 43(2): 216-221. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2014.02.011
[6]	初秀琴, 丁睿, 来新泉, 叶强, 何惠森. 高精度电流求和型分段曲率补偿的基准电流源 . 电子科技大学学报, 2012, 41(4): 616-620. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.04.027
[7]	徐洁, 李青, 林慧, 王洪. MoO₃源漏电极缓冲层对有机薄膜晶体管性能的影响 . 电子科技大学学报, 2012, 41(6): 941-943. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.06.024
[8]	张林, 肖剑, 邱彦章, 程鸿亮. Ni/4H-SiC SBD电离辐照探测器的实验研究 . 电子科技大学学报, 2012, 41(3): 467-470. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.03.028
[9]	叶芸, 郭太良, 蒋亚东, 黎威智. PVDF薄膜的极化及其电性能研究 . 电子科技大学学报, 2012, 41(3): 463-466. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.03.027
[10]	吴铁峰, 张鹤鸣, 胡辉勇. 小尺寸器件栅隧穿电流预测模型 . 电子科技大学学报, 2011, 40(2): 312-316. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2011.02.031
[11]	吴明和, 郑晓明, 孙云卿, 崔海娟, 曾刚. 储能电容与光导开关的工作模式 . 电子科技大学学报, 2011, 40(2): 227-230. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2011.02.014
[12]	熊红川, 罗程, 吕粟, 唐鹤菡, 吴岂柱, 龚启勇, 黄颖玲, 尧德中. 神经电流磁场的MRI实验研究 . 电子科技大学学报, 2010, 39(6): 948-951. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2010.06.030
[13]	徐跃杭, 国云川, 徐锐敏, 延波, 吴韵秋. SiC MESFET非线性模型及其嵌入研究 . 电子科技大学学报, 2010, 39(3): 443-446,453. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2010.03.026
[14]	蒲娟, 吴志明, 蒋亚东, 熊昊, 张良昌. 氮化硅薄膜热性能测试研究 . 电子科技大学学报, 2009, 38(2): 313-316. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2009.02.37
[15]	张波, 邓小川, 陈万军, 李肇基. 宽禁带功率半导体器件技术 . 电子科技大学学报, 2009, 38(5): 618-623. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2009.05.018
[16]	刘布民, 蔡伟, 陆铁军, 王宗民. 低功耗无损电流检测技术的分析与设计 . 电子科技大学学报, 2008, 37(3): 393-396.
[17]	于长丰, 严一民, 阎坤, 杨新铁. 反氢原子能级及光谱的经典定性研究 . 电子科技大学学报, 2004, 33(4): 461-463,484.
[18]	刘鸿, 阮成礼, 吴明和. 光导开关产生的非线性电脉冲的传输特性 . 电子科技大学学报, 2004, 33(3): 262-265.
[19]	林维涛, 阮成礼, 杨宏春. InP:Fe光导开关产生超短电脉冲实验研究 . 电子科技大学学报, 2003, 32(6): 649-651.
[20]	王琪, 阮成礼. 平面电流脉冲远区能量衰减特性研究 . 电子科技大学学报, 2002, 31(3): 240-244.

WeChat

点击查看大图

计量

文章访问数: 4533
HTML全文浏览量: 117
PDF下载量: 64
被引次数: 0

钒补偿度对SiC光导开关特性影响的研究

doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.06.023

1. 安徽工业大学电气信息学院安徽马鞍山 243002

基金项目:

国家自然科学基金(51177003)

作者简介:
周郁明(1971-),男,博士,副教授,主要从事高功率半导体开关及其应用技术方面的研究.

收稿日期: 2011-02-25
修回日期: 2012-01-14
刊出日期: 2012-12-15

中图分类号: TN36;TM89

关键词:

能级 /
漏电流 /
光导开关 /
碳化硅

摘要: 利用半导体器件仿真软件研究了钒掺杂半绝缘碳化硅(SiC)光导开关(PCSS)在电容放电电路中的瞬态特性。在非故意掺杂氮浓度为1×1014 cm-3、硼浓度为1×1011 cm-3和电容初始电压为1000 V的条件下,当钒浓度为1×1012 cm-3时,电路在初始阶段有一个完整的振荡脉冲电流,随后存在较大的泄露电流,当光导开关受到波长为532 nm、功率为2400 W/cm2激光的激发时,电容放电形成幅值约为88 A的陡峭脉冲电流,激光结束后电路还有较大的拖尾电流。随着钒浓度增加到1×1014 cm-3,初始阶段的振荡电流消失,漏电流和拖尾电流均减小,受到激光激发时所形成的脉冲电流幅值约为8 A,而钒浓度增加到1×1017 cm-3时,幅值减小到2.5 A。

English Abstract

周郁明, 靳爱津, 冯德仁. 钒补偿度对SiC光导开关特性影响的研究[J]. 电子科技大学学报, 2012, 41(6): 937-940. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.06.023

引用本文:

周郁明, 靳爱津, 冯德仁. 钒补偿度对SiC光导开关特性影响的研究[J]. 电子科技大学学报, 2012, 41(6): 937-940. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.06.023

ZHOU Yu-ming, JIN Ai-jin, FEND De-ren. Simulation of Vanadium Doped Concentration on the Effect of Characteristics of SiC Photoconducting Switches[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2012, 41(6): 937-940. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.06.023

Citation:

ZHOU Yu-ming, JIN Ai-jin, FEND De-ren. Simulation of Vanadium Doped Concentration on the Effect of Characteristics of SiC Photoconducting Switches[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2012, 41(6): 937-940. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.06.023

全文HTML

/

下载: 全尺寸图片幻灯片

分享

用微信扫码二维码

分享至好友和朋友圈

返回

期刊在线

编辑办公

友情链接

电子科技大学

版权所有 © 《电子科技大学学报》编辑部

地址: 成都市建设北路二段四号电子科技大学主楼中350室电话: 028-83202308,83207559 Email: xuebao@uestc.edu.cn

本系统由北京仁和汇智信息技术有限公司开发