基于二极管三维模型的太赫兹倍频器研究

李理; 张勇; 赵伟; 钟伟; 刘双; 卢秋全; 徐锐敏

doi:10.3969/j.issn.1001-0548.2015.03.009

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基于二极管三维模型的太赫兹倍频器研究

李理, 张勇, 赵伟, 钟伟, 刘双, 卢秋全, 徐锐敏

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李理, 张勇, 赵伟, 钟伟, 刘双, 卢秋全, 徐锐敏. 基于二极管三维模型的太赫兹倍频器研究[J]. 电子科技大学学报, 2015, 44(3): 369-374. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2015.03.009

引用本文:

LI Li, ZHANG Yong, ZHAO Wei, ZHONG Wei, LIU Shuang, LU Qiu-quan, XU Rui-min. Research of THz Frequency Tripler Based on 3D-EM Model of Varactor Diodes[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2015, 44(3): 369-374. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2015.03.009

Citation:

LI Li, ZHANG Yong, ZHAO Wei, ZHONG Wei, LIU Shuang, LU Qiu-quan, XU Rui-min. Research of THz Frequency Tripler Based on 3D-EM Model of Varactor Diodes[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2015, 44(3): 369-374. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2015.03.009

基于二极管三维模型的太赫兹倍频器研究

doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2015.03.009

详细信息

中图分类号: O44

Research of THz Frequency Tripler Based on 3D-EM Model of Varactor Diodes

摘要: 基于变容二极管设计了215 GHz三倍频器。为了简化结构和提高功率容量，该倍频器采用同向并联二极管对结构实现非平衡式三倍频。由于在太赫兹频段二极管的封装会影响到器件的场分布，将传统的二极管SPICE参数直接应用于太赫兹频段的电路设计仿真存在一定缺陷。故建立了精确的二极管三维电磁模型，在非线性区域合理的设置了波端口，采用改进型场路结合仿真的方式对倍频器进行了设计。测试结果表明，该倍频器在207～226 GHz输出频率范围内，输出功率大于2 mW，最大输出功率为5.4 mW，最小变频损耗为13.1 dB。
- 谐波平衡法 /
- 非平衡式倍频 /
- 太赫兹 /
- 三倍频器 /
- 变容二极管

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基于二极管三维模型的太赫兹倍频器研究

doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2015.03.009

刊出日期: 2015-06-15

中图分类号: O44

关键词:

摘要: 基于变容二极管设计了215 GHz三倍频器。为了简化结构和提高功率容量，该倍频器采用同向并联二极管对结构实现非平衡式三倍频。由于在太赫兹频段二极管的封装会影响到器件的场分布，将传统的二极管SPICE参数直接应用于太赫兹频段的电路设计仿真存在一定缺陷。故建立了精确的二极管三维电磁模型，在非线性区域合理的设置了波端口，采用改进型场路结合仿真的方式对倍频器进行了设计。测试结果表明，该倍频器在207～226 GHz输出频率范围内，输出功率大于2 mW，最大输出功率为5.4 mW，最小变频损耗为13.1 dB。