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BaxSr1-xTiO3微弧氧化铁电薄膜微观结构及电学性能

王敏,  李文芳,  张果戈,  王晓军,  唐鹏

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王敏, 李文芳, 张果戈, 王晓军, 唐鹏. BaxSr1-xTiO3微弧氧化铁电薄膜微观结构及电学性能[J]. 电子科技大学学报, 2015, 44(5): 778-783. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2015.05.023
引用本文: 王敏, 李文芳, 张果戈, 王晓军, 唐鹏. BaxSr1-xTiO3微弧氧化铁电薄膜微观结构及电学性能[J]. 电子科技大学学报, 2015, 44(5): 778-783. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2015.05.023
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WANG Min, LI Wen-fang, ZHANG Guo-ge, WANG Xiao-jun, . Microstructure and Electrical Property of BaxSr1-xTiO3 Ferroelectric Thin Film Prepared by Microarc Oxidation[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2015, 44(5): 778-783. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2015.05.023
Citation: WANG Min, LI Wen-fang, ZHANG Guo-ge, WANG Xiao-jun, . Microstructure and Electrical Property of BaxSr1-xTiO3 Ferroelectric Thin Film Prepared by Microarc Oxidation[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2015, 44(5): 778-783. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2015.05.023
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BaxSr1-xTiO3微弧氧化铁电薄膜微观结构及电学性能

doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2015.05.023
详细信息

  • 中图分类号: TB34;TN384

Microstructure and Electrical Property of BaxSr1-xTiO3 Ferroelectric Thin Film Prepared by Microarc Oxidation

  • 摘要: 用分析纯Ba(OH)2·8H2O和Sr(OH)2·8H2O配制电解液,采用微弧氧化法在工业纯钛板(99.5%)表面原位生成BaxSr(1-x)TiO3铁电薄膜。研究了Ba2+/Sr2+对薄膜晶体结构、物相组成、表面形貌及表面粗糙度的影响,并对薄膜的介电、铁电性能进行了表征。结果表明,Ba2+/Sr2+对薄膜晶体结构无影响,但随Ba2+含量增加,BaxSr(1-x)TiO3薄膜中x值与理论值偏离越大;随电解液浓度及Ba2+/Sr2+增加,薄膜表面变得疏松,散布的颗粒尺寸增大,表面粗糙度值增加。在Ba2+和Sr2+各为0.2 mol/L时所得薄膜表面平整度及致密性最好,表面粗糙度值最小,其在100 Hz条件下的介电常数为454.8,且具有饱和电滞回线,有较好的商业化应用前景。
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出版历程
  • 刊出日期:  2015-10-15

BaxSr1-xTiO3微弧氧化铁电薄膜微观结构及电学性能

doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2015.05.023
  • 刊出日期: 2015-10-15

  • 中图分类号: TB34;TN384

摘要: 用分析纯Ba(OH)2·8H2O和Sr(OH)2·8H2O配制电解液,采用微弧氧化法在工业纯钛板(99.5%)表面原位生成BaxSr(1-x)TiO3铁电薄膜。研究了Ba2+/Sr2+对薄膜晶体结构、物相组成、表面形貌及表面粗糙度的影响,并对薄膜的介电、铁电性能进行了表征。结果表明,Ba2+/Sr2+对薄膜晶体结构无影响,但随Ba2+含量增加,BaxSr(1-x)TiO3薄膜中x值与理论值偏离越大;随电解液浓度及Ba2+/Sr2+增加,薄膜表面变得疏松,散布的颗粒尺寸增大,表面粗糙度值增加。在Ba2+和Sr2+各为0.2 mol/L时所得薄膜表面平整度及致密性最好,表面粗糙度值最小,其在100 Hz条件下的介电常数为454.8,且具有饱和电滞回线,有较好的商业化应用前景。

English Abstract

王敏, 李文芳, 张果戈, 王晓军, 唐鹏. BaxSr1-xTiO3微弧氧化铁电薄膜微观结构及电学性能[J]. 电子科技大学学报, 2015, 44(5): 778-783. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2015.05.023
引用本文: 王敏, 李文芳, 张果戈, 王晓军, 唐鹏. BaxSr1-xTiO3微弧氧化铁电薄膜微观结构及电学性能[J]. 电子科技大学学报, 2015, 44(5): 778-783. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2015.05.023
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WANG Min, LI Wen-fang, ZHANG Guo-ge, WANG Xiao-jun, . Microstructure and Electrical Property of BaxSr1-xTiO3 Ferroelectric Thin Film Prepared by Microarc Oxidation[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2015, 44(5): 778-783. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2015.05.023
Citation: WANG Min, LI Wen-fang, ZHANG Guo-ge, WANG Xiao-jun, . Microstructure and Electrical Property of BaxSr1-xTiO3 Ferroelectric Thin Film Prepared by Microarc Oxidation[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2015, 44(5): 778-783. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2015.05.023
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